IIC难觅WiMAX“芳踪”底层技术开发待突破

　　出现这种现象，除了各公司出于自己市场推广策略的考虑，可能另一个原因就是芯片巨头们还没有什么拿得出手的成熟WiMAX芯片方案和参考设计。有趣的是，他们对于3G方案的宣传倒是很积极。既然WiMAX的频谱获得和频谱统一问题都还没有解决，加上作为系统支撑的底层芯片技术还没有发展得相对成熟，看来讨论与3G的竞争和共存还为时尚早。

　　不过在与ADI模拟半导体元器件市场总监Mark Skillings的交流中得知，业界有关WiMAX的开发还是在有序进行着。例如，该公司已有针对WiMAX的一系列RF前端芯片如混频器、本振、功率检波器、ADC和 DAC等。其超外差式结构WiMAX解决方案是基于直接上变频发送器以减少信号路径的元器件数量，减小杂散，降低对滤波器的要求并且降低功耗。接收器路径可采用中频采样或者超外差基带同相正交（I-Q）采样架构。这些特性非常适合于灵活的应用并且在更高的RF工作频率上易于升级。两路接收信号链路是专门为高灵敏度和高线性度应用而设计。

　　另外，对于WiMAX基站设计，ADI公司还利用“高集成度解决方案”(即基于其TigerSharc DSP)提供了WiMAX Tx/Rx参考设计。ADI已在与几家软件技术供应商如SIWORKS、Cygnus等在开发WiMAX基站软件无线电方案，并在与Cavium Networks开展一系列合作，但Mark不愿意透露与这几家公司合作的细节和最新进展情况。

　　不久前，TI也发布了一系列WiMAX RF芯片组：面向2.5GHz的TRF11xx、3.5 GHz的TRF12xx、5.8GHz的TRF24xx系列产品，配合该公司自己的DSP(如1GHz的TMS320-TC16482 DSP),可用于WiMAX基站和用户端设备开发。Maxim近期推出的直接上变频正交调制器MAX2022则可以用于WiMAX发射机设计，不过该芯片还可以用于UMTS/WCDMA、DCS/PCS和CDMA2000基站设计。

　　至于飞思卡尔，其PowerQUICC III通信处理器已被不少WiMAX开发平台采纳用于处理MAC。而在今年初该公司又推出了面向在2.3、2.5和3.5GHz频段运行的WiMAX/WiBRO设备的射频晶体管HV7 LDMOS器件。目前还在开发新型高压GaAs器件，可在高达6GHz的频段运行，按照该公司的说法，第一款高压GaAs PHEMT的样片有望于2006年第三季度面市。

　　不过，要将以往在2G/2.5/3G基站和终端芯片的技术经验移植到WiMAX领域，这些芯片巨头仍有很多研究工作要做。而目前各厂商推出的WiMAX芯片方案和参考设计还是分离式的，物理层(PHY)和媒体存取控制器(MAC)集成已取得很大进展(特别是WiMAX用户端设备芯片平台)，但象WLAN一样将RF、PHY和MAC集成在一个单芯片中的研究进展几乎还是零。

摘自：global sources （责任编辑：企业网 ）